芯片产品
- 发布日期：2024-01-10 17:01 点击次数：160
TQP7M9106
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编号：
772-TQP7M9106
制造商编号：
TQP7M9106
制造商：
Qorvo
Qorvo
客户编号:
说明：
射频放大器 50-1500MHz 2W Gain 20.8dB@940MHz
数据表:
TQP7M9106 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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最少： 1 倍数： 1
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
剪切带
eel™ (+¥15.00)
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
剪切带/eel™ † 1 ¥138.9674 ¥138.97 25 ¥100.8864 ¥2，522.16 100 ¥81.8459 ¥8，184.59 250 ¥66.6361 ¥16，659.03 500 ¥61.5059 ¥30，752.95 1，000 ¥60.2064 ¥60，206.40 整卷卷轴（请按2500的倍数订购） 2，500 ¥58.986 ¥147，465.00
† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩
× 包装选择
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剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按2500的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Qorvo 产品种类: 射频放大器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: QFN-24 类型: Driver Amplifiers 技术: GaAs InGaP 工作频率: 50 MHz to 1.5 GHz P1dB - 压缩点: 33 dBm 增益: 20.8 dB 工作电源电压: 5 V NF—噪声系数: 4.8 dB OIP3 - 三阶截点: 50 dBm 工作电源电流: 455 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 系列: TQP7M9106 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: Qorvo 产品类型: RF Amplifier 工厂包装数量: 工厂包装数量: 2500 子类别: Wireless & RF Integrated Circuits 电源电压-最大: 5.25 V 测试频率: 940 MHz 零件号别名: 1083208 单位重量: 1 g
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产品合规性
CNHTS: 8542339000 CAHTS: 8542330000 USHTS: 8542330001 JPHTS: 8542330996 KRHTS: 8532331000 TARIC: 8542330000 MXHTS: 8542330299 ECCN: 5A991.g
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Qorvo TQP7M Series High Linearity Amplifiers
Qorvo TQP7M series of High Linearity Amplifiers incorporates on-chip features that differentiate them from other products current in the market. These High Linearity Amplifiers are targeted for use as a driver amplifier in wireless infrastructure where high linearity， medium power， and high efficiency are required. The TriQuint TQP7M series are excellent candidates for transceiver line cards in current and next generation multi-carrier 3G/4G base stations. Applications for these High Linearity Amplifiers include repeaters，DDC半导体IC芯片模块采购平台 mobile infrastructure， CDMA/WCDMA/LTE and general purpose wireless.
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TQP7M910x High Linearity Amplifiers
Qorvo TQP7M910x High Linearity Amplifiers are Indium Gallium Phosphide (InGaP) / Gallium arsenide (GaAs) Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) that deliver high performance across a broad range of frequencies. The TQP7M910x Amplifiers integrate on-chip DC over-voltage and RF over-drive protection. This protects the amplifier from electrical DC voltage surges and high input RF input power levels that may occur in a system. On-chip ESD protection allows the amplifier to have a very robust Class 2 HBM ESD rating. The TQP7M910x Amplifiers are targeted for use as driver amplifiers in wireless infrastructure where high linearity， medium power， and high efficiency are required. These device are an excellent candidate for transceiver line cards and high power amplifiers in current and next generation multicarrier 3G / 4G base stations.
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